泰宁新闻网

分享一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法与流程

鞋

泰宁新闻网 http://www.tainingxinwen.cn 2020-09-16 23:54 出处:网络
这里写的分享一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法与流程,接下来小编就为大家带来。

这里写的分享一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法与流程,接下来小编就为大家带来。


本发明涉及一种LED芯片结构及其制备方法,尤其是一种具有六面发光的LED芯片及其具有层叠铝合金结构的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法。



背景技术:

目前,LED灯丝是一款全角度发光的光源,一般采用正装LED芯片或倒装LED芯片直接贴装在透明或金属支架上,连线的方式可以是金线键合(正装)或者焊料焊接(倒装),之后再进行硅胶或环氧胶或荧光胶的全包封,从而实现了全角度发光的LED灯丝。这就要求连接电路或无基板介质或基板介质具有高透明属性,同时LED芯片也要求全角度发光,传统的倒装芯片用于灯丝灯由于芯片结构含有反射层且电极过大,导致只能五面发光,不能实现灯丝全角度均匀发光,如图2所示,包括电极1;反射层2;发光区6;传统的正装芯片用于灯丝灯只能通过金线键合实现电路连接,打线工艺成本较高,如图4所示,包括电极1;发光区6。



技术实现要素:

本发明的目的在于解决上述现有技术的缺点和不足,提供一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,该用于全角度发光器件的LED芯片电极结构可实现全角度发光芯片在提高焊接可靠性的前提下或通过低成本的铝线键合焊接或通过铝超声焊接达到低成本焊接的目的。同时,本发明采用的铝合金电极结构的焊接特性可降低对焊垫尺寸的要求,从而进一步提高焊接面的出光亮度,利于器件的全角度出光,效率更高、成本更低。

本发明解决其技术问题所采用技术方案为:一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,包括LED芯片,于LED芯片上设有两个焊接面,每个焊接面上设有由多层结构层叠组成的铝合金电极;所述的铝合金电极包括依次从芯片预制备的电极面开始层叠的Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层或Al合金层。

进一步的,所述LED芯片电极面的Cr层之下设有氮化镓介质、金属介质或透明材料介质。

进一步的,所述的铝合金电极结构是依次层叠的Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层的层状结构。该LED芯片为倒装芯片结构。

或者是,所述的铝合金电极结构是依次生长的Cr层、第一Al层、Ti层、Al合金层的层状结构。该LED芯片为正装芯片结构。

进一步的,所述的Al合金层为Al-Si或Al-Cu合金层。

进一步的,所述的Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层或Al合金层的层状结构的厚度分别为:Cr层厚度为1-100A,第一Al层厚度为10-10000A,Ti层厚度为0-10000A,第二Al层或Al合金层厚度为100-100000A。

另外,本发明还涉及用于全角度发光器件的LED芯片电极结构的制备方法,该制备方法的步骤为:

依次在芯片预制备电极面的氮化镓介质、金属介质或透明材料介质上层叠Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层或Al合金层形成层叠结构的铝合金电极,铝合金电极的每层结构均采用蒸镀或溅镀的方式叠层二次,形成带铝合金电极的LED芯片结构。

综上所述,本发明的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构可实现全角度发光芯片在提高焊接可靠性的前提下或通过低成本的铝线键合焊接或通过铝超声焊接达到低成本焊接的目的。同时,本发明采用的铝合金电极结构的焊接特性可降低对焊垫尺寸的要求,从而进一步提高焊接面的出光亮度,利于器件的全角度出光,效率更高、成本更低。

附图说明

下面结合附图,并通过参考下面的详细描述,将更容易理解本发明并了解其优点和特征,附图用于说明本发明,而非限制本发明;表示结构的附图可能并非按比例绘制;并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号:

图1为本发明的全角度发光器件的LED芯片结构采用倒装LED芯片结构的示意图;

图2为现有技术中采用传统倒装LED芯片结构的示意图;

图3为本发明全角度发光器件的LED芯片结构采用正装LED芯片结构的示意图;

图4为现有技术中采用传统正装LED芯片结构的示意图。

具体实施方式

实施例1

本实施例1所述描述的一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,如图1所示,LED芯片为倒装芯片结构,该倒装芯片结构为全角度发光芯片,在倒装芯片结构的发光区6上设有电极结构为铝合金的层状结构,包括最底层的Cr层01、第一Al层02、Ti层03、第二Al层04。

另外,本实施例1还涉及用于全角度发光器件的LED芯片电极结构的制备方法,该制备方法的步骤为:

依次在芯片预制备电极面的氮化镓介质、金属介质或透明材料介质上层叠Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层形成层叠结构的铝合金电极,铝合金电极的每层结构均采用蒸镀方式叠层二次,形成带铝合金电极的LED芯片结构。

实施例2

本实施例2是在是在实施例的基础上进行改变,不同点在于铝合金电极在LED芯片电极面上的层叠方式不同,具体如下:

如图1所示,该铝合金的层状结构包括最底层的Cr层01、第一Al层02、Ti层03、第二Al层04,在在LED芯片电极面上依次采用溅镀的方式层叠。

实施例3

本实施例3所描述的一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,如图3所示,LED芯片为正装芯片结构,该正装芯片结构为全角度发光芯片,在正装芯片结构的发光区6上设有电极结构为铝合金的层状结构,具有新型的铝合金电极结构,正装芯片结构的电极结构包括最底层的Cr层01、第一Al层02、Ti层03、Al-Si合金层05。

在正装芯片结构的电极面依次蒸镀Cr层、Al层、Ti层、Al-Si合金层等镀层。

实施例4

本实施例4是在实施例3的基础上进行改造的,不同点在于铝合金电极在LED芯片电极面上的层叠方式不同,具体如下:

如图3所示,该铝合金的层状结构包括最底层的Cr层01、第一Al层02、Ti层03、Al-Si合金层05,在LED芯片焊接面上依次采用溅镀的方式层叠。

以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明的结构作任何形式上的限制。凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明的技术方案的范围内。


技术特征:

1.一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,包括LED芯片,于LED芯片上设有两个焊接面,每个焊接面上设有由多层结构层叠组成的铝合金电极;所述的铝合金电极包括依次从电极面开始层叠的Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层或Al合金层。

2.根据权利要求1所述的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,所述LED芯片电极面的Cr层之下设有氮化镓介质、金属介质或透明材料介质。

3.根据权利要求2所述的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,所述的铝或铝合金层电极结构是依次层叠的Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层的层状结构。

4.根据权利要求2所述的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,所述的铝层或铝合金层电极结构是依次生长的Cr层、第一Al层、Ti层、Al合金层的层状结构。

5.根据权利要求3所述的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,所述的LED芯片为倒装芯片结构。

6.根据权利要求4所述的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,所述LED芯片为正装芯片结构。

7.根据权利要求7所述的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,所述的Al合金层为Al-Si合金层或Al-Cu合金层。

8.根据权利要求1至8任意一项所述的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构,其特征在于,所述的Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层或Al合金层的层状结构的厚度分别为:Cr层厚度为1-100A,第一Al层厚度为10-10000A,Ti层厚度为0-10000A,第二Al层或Al合金层厚度为100-100000A。

9.一种根据权利要求1的用于全角度发光器件的LED芯片电极结构的制备方法,其特征在于,该制备方法的步骤为:

依次在芯片预制备电极面的氮化镓介质、金属介质或透明材料介质上层叠Cr层、第一Al层、Ti层、第二Al层或Al合金层形成层叠结构的铝合金电极,铝合金电极的每层结构均采用蒸镀或溅镀的方式叠层二次,形成带铝合金电极的LED芯片结构。

技术总结
本发明公开了用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法,包括新型的芯片电极结构为层叠结构的铝合金电极,所述铝合金电极结构是依次层叠的Cr层、Al层、Ti层、Al层或Al合金层等成分的层状结构。所述铝合金电极的制备方法包括以下步骤:在LED芯片电极面的氮化镓、金属或透明材料介质上依次蒸镀或溅镀Cr、Al、Ti、Al或Al合金等成分的层状结构。所述新型铝合金电极可实现全角度发光芯片在提高焊接可靠性的前提下或通过低成本的铝线键合焊接或通过铝超声焊接达到低成本焊接的目的。

技术研发人员:吴懿平;夏卫生;陈亮;区燕杰
受保护的技术使用者:珠海市一芯半导体科技有限公司
文档号码:201710293136
技术研发日:2017.04.28
技术公布日:2017.07.21

分享一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法与流程的相关内容如下:

本文标题:分享一种用于全角度发光器件的LED芯片电极结构及其制备方法与流程
http://www.tainingxinwen.cn/qitaxinxi/479888.html

0

精彩评论

暂无评论...
验证码 换一张
取 消